Park NX-Mask는 원자현미경 기반의 나노머시닝(Nano-machining) 기술을 이용한 차세대 마스크 리페어 장비로, 반도체 최첨단 공정인 EUV 공정의 포토 마스크에 발생하는 나노미터 크기의 결함 및 파티클을 가장 안전하고 효과적으로 제거할 수 있습니다. Park NX-Mask는 EUV 마스크를 위한 듀얼 포드를 지원하며, 마스크 패턴에 발생한 결함 및 파티클의 형상 측정 및 제거, 제거 후 검증까지 모든 과정을 하나의 솔루션으로 완벽하게 제공하여, 고비용의 EUV 공정에서 생산원가를 낮추고, 디바이스 수율을 높일 수 있습니다.
안전성과 우수성을 갖춘 포토마스크 리페어 장비
포토마스크는 유리 기판 위에 반도체 회로 패턴을 형성한 것으로, 사진 원판인 필름 역할을 담당하는 반도체 리소그래피 공정의 핵심 파트입니다. 포토마스크에 빛을 투과하거나 반사시켜 웨이퍼에 조사하는 방식으로, 설계한 반도체 회로를 웨이퍼나 기판에 전사하게 됩니다. EUV 장비 내부에서 생성된 주석(Sn) 방울에 의해 마스크 표면이 오염되면 빛 반사도를 저하시키거나 정교한 기판 전사에 방해가 됩니다. 전자빔이나 레이저를 사용하는 다른 마스크 리페어 기술은 전자빔 또는 레이저빔의 크기를 줄이는 데 한계가 있어, EUV기술이 사용되는 최첨단 반도체 미세 패턴에는 사용이 점점 어려워지고 있습니다. Park NX-Mask는 원자현미경 기반의 나노머시닝(Nano-machining) 기술을 통해 마스크 패턴과 결함의 정확한 위치정보 및 형상정보를 정밀하게 파악하고, 팁의 정밀 위치제어를 통해 포토마스크 패턴이나 표면에 영향을 주지 않고 결함을 선택적으로 제거할 수 있습니다.
Safe
- 빔 충전 없음
- 화학 물질 사용 없음
- 진공이 필요하지 않음
Superior
- 나노스케일 해상도로 결함을 정밀하게 선택하고 선택적으로 제거
- 비접촉 스캐닝 모드를 이용한 결함 측정
- 합리적인 비용
인라인 생산에 최적화된 포토마스크 리페어 장비
Park NX-Mask는 EUV마스크를 위한 듀얼 포드를 지원하며, 자동 결함 측정 및 수리ᆞ검증까지 올인원 솔루션을 제공합니다.
비접촉식 스캐닝 모드를 이용한 결함 측정 및 수리
Park NX-Mask는 포토마스크 표면에 영향을 주는 에너지를 동반하는 전자빔이나 레이저를 사용하는 다른 기술과 달리 원자현미경 기반의 ‘자동 결함 측정 (Automatic defect review; ADR)’ 기능을 표준으로 제공합니다. 따라서, 오염된 패턴과 손상된 부분의 정확한 위치와 형상을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 비접촉 스캐닝 모드(True Non-contact mode)를 이용해 포토마스크 표면에 미치는 영향을 최소화해 원자 수준의 수직 정밀도로 패턴의 표면 거칠기나 단차를 정밀하게 측정합니다. 나노미터(nm) 이하 원자 크기 수준의 정밀도를 가지는 위치 제어 기능과 패턴의 정확한 정보를 이용해 포토마스크 패턴의 표면의 이물질을 정밀하게 제거하거나 손상된 부분을 복구할 수 있습니다.
